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磁控濺射原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發(fā)生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片金靶材。離子在電場的作用下加速轟擊靶材沈陽金靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動，該電子的運(yùn)動路徑很長，在運(yùn)動過程中不斷的與原子發(fā)生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠(yuǎn)離靶材北京玫瑰金靶材，最終沉積在基片上。

為了提高選礦生產(chǎn)能力，挖掘設(shè)備潛力，對碎礦流程進(jìn)行了改造，使磨礦機(jī)的利用系數(shù)提高，采取的主要措施是實(shí)行多碎少磨，降低入磨礦石粒度。

據(jù)調(diào)查，我國80%左右的巖金礦山采用浮選法選金，產(chǎn)出的精礦多送往有色冶煉廠處理天津合金靶材。由于qing化法提金的日益發(fā)展和企業(yè)為提高經(jīng)濟(jì)效益，減少精礦運(yùn)輸損失，近年來產(chǎn)品結(jié)構(gòu)發(fā)生了較大的變化，多采取就地處理(當(dāng)然也由于選冶之間的矛盾和計(jì)價(jià)等問題，迫使礦山就地自行處理)促使浮選工藝有較大發(fā)展，在黃金生產(chǎn)中占有相當(dāng)?shù)闹匾匚弧?/p>

在2005年后，由于外購銀泥發(fā)生變化，雜質(zhì)含量變動很大，采用原有的工藝根本無法再生產(chǎn)高純銀。經(jīng)熔煉后生產(chǎn)的陽極板質(zhì)量為，Au % 3.11~ 9.98%，Ag 68.76% ~84.62%，Cu 0.14%~1.76%，

Pb8.82%~20.61%，可見，鉛含量明顯增多。無論采取高酸或低酸工藝均不能生產(chǎn)國標(biāo)銀，一般電解中會出現(xiàn)如下現(xiàn)象：生產(chǎn)的銀粉呈現(xiàn)黑色絮狀物，而此種狀態(tài)的銀粉比表面積大，最容易吸附雜質(zhì)，并很難洗滌除去。

為強(qiáng)化高溫合金力學(xué)性能，增加難熔金屬并減少Al、Cr，一定程度上犧牲高溫合金的抗高溫氧化和熱腐蝕性能。熱障涂層體系（TBCs）有效降低服役時(shí)的高溫合金表面溫度，大幅改善其高溫服役能力。在眾多高溫防護(hù)涂層中，鉑改性鋁化物涂層的制備工藝簡單和設(shè)備成本低廉，高溫性能優(yōu)異，深受關(guān)注。一代Pt改性鋁化物涂層首創(chuàng)于上世紀(jì)六十年代而專利出現(xiàn)在七十年代。

 所以希望研究出一種環(huán)境友好的清潔處理方法。為此，采用堿化焙-浸脫硒-酸浸脫銅碲的工藝對該陽極泥進(jìn)行預(yù)處理，有效地實(shí)現(xiàn)了硒、碲、銅的清潔分離。如果對預(yù)處理殘?jiān)械慕疸y通過濕法浸出回收，將有助于實(shí)現(xiàn)該陽極泥中稀散元素和金銀的短流程清潔利用。

在濕法浸出工藝中，金銀的氰化浸出是主導(dǎo)工藝，但是陽極泥中的可溶性重金屬較多，會使qing化物消耗劇增。

金被用在很多電子設(shè)備尤其是電腦上。隨著金價(jià)持續(xù)上漲，無數(shù)公司開始打起了散金的主意。而電腦里絕大多數(shù)金都存在于主板之中。

主板上的很多地方都有金：IDE連接器、PCI Express卡槽、AGP、ISA、其他的一些端口、跳針、處理器插座和DIMM（老式主板是SIMM）卡槽。